Όπως φαίνεται ήταν το KAIST που ανέπτυξε την τεχνολογία 10nm FinFET, που ετοιμάζεται να χρησιμοποιήσει η Samsung στα chips. Αναφέρεται ότι η Samsung έκλεψε την τεχνολογία, όταν κάλεσε τον Lee Jong-ho, καθηγητή του Seoul National University, συνεργάτη του KAIST για την τεχνολογία FinFET, να δείξει στους μηχανικούς της πως λειτουργεί η τεχνολογία. Με τη σειρά της η Samsung «μπόρεσε να μειώσει τον χρόνο ανάπτυξης και το κόστος, αντιγράφοντας την εφεύρεση του Lee, χωρίς κόστος. Το πρόβλημα είναι ότι συνέχισε να χρησιμοποιεί την εφεύρεση χωρίς να έχει την άδεια ή να πληρώνει το απαραίτητο ποσό». Η Intel αναγνωρίζει ότι το KAIST είναι ο πραγματικός δημιουργός της τεχνολογίας FinFET και ήδη έχει πάρει την άδεια για να την χρησιμοποιήσει, αλλά η Samsung δεν έχει κάνει ακόμη το βήμα. Εκτός από την Samsung, στο στόχαστρο της KAIST μπαίνουν εταιρείες όπως Qualcomm και TSMC, για την παραβίαση των πατεντών.
0 σχόλια:
Δημοσίευση σχολίου