Μετά το σκάνδαλο που ξέσπασε σχετικά με το είδος της εσωτερικής μνήμης στα Huawei P10, P10 Plus και Mate 9, για το οποίο η Huawei έχει ήδη απολογηθεί και εκδώσει επίσημη ανακοίνωση, ίσως είναι η σειρά της Samsung να αντιμετωπίσει το ίδιο πρόβλημα.
Σύμφωνα με πληροφορίες του (συνήθως έγκυρου) XDA, χρήστες παρατήρησαν διαφορετικές ταχύτητες ανάγνωσης (sequential) δεδομένων στα S8 τους, με αποτέλεσμα να το ψάξουν περισσότερο. Ανακαλύπτοντας, εν τέλει, πως ορισμένα S8 χρησιμοποιούν NAND flash μνήμη της Samsung, άλλα της Toshiba και πως ορισμένα από αυτά είναι κατασκευασμένα με βάση τα UFS 2.0 specs και όχι τα UFS 2.1, όπως αρχικά διαφήμιζε και η εταιρεία.
Να σημειωθεί πως η αναφορά στη UFS 2.1 μνήμη έχει αφαιρεθεί από ορισμένες σελίδες της Samsung, κάτι που ίσως επιβεβαιώνει το ζήτημα.
Ωστόσο, δεν υπάρχει λόγος ανησυχίας. Πρώτον, απ'ότι φαίνεται, τα S8+ δεν επηρεάζονται καθόλου από τα παραπάνω καθώς όλα έχουν UFS 2.1 μνήμη, τουλάχιστον με βάση τα στατιστικά μέχρι στιγμής. Δεύτερον, τα Exynos μοντέλα του S8, αυτά που είναι διαθέσιμα και στην ευρωπαϊκή αλλά και την ελληνική αγορά δηλαδή, επίσης δε φαίνονται να επηρεάζονται. Μονάχα ορισμένα Snapdragon Galaxy S8 έχουν εμφανιστεί μέχρι στιγμής με UFS 2.0 μνήμη, αλλά ακόμη και σε αυτά, ο χρήστης είναι απίθανο να δεί κάποια ουσιαστική διαφορά στην ταχύτητα της συσκευής του, παρά μόνο σε απειροελάχιστες περιπτώσεις και κατά την εκτέλεση benchmarks. Στο σχετικο θέμα του XDA θα δείτε πως μπορείτε να καταλάβετε ποιό τύπο μνήμης έχει το S8/S8+ σας και πως θα μετρήσετε την ταχύτητά της.
- Blogger Comment
- Facebook Comment
Εγγραφή σε:
Σχόλια ανάρτησης
(
Atom
)
0 σχόλια:
Δημοσίευση σχολίου