Η Samsung, ανακοίνωσε το πρώτο eUFS 2.1 (embedded Universal Flash Storage). Σύμφωνα με τις φήμες το chip έχει ήδη εισέλθει σε μαζική παραγωγή κάτι που ενισχύει τις υποψίες για την τοποθέτηση του στις νέες ναυαρχίδες της εταιρίας.
Όσον αφορά το νέο 1ΤΒ eUFS chip, σε διαστάσεις είναι ίδιο με ένα 512GB chip (11.3 x 13mm) ενώ αυξάνεται στο διπλάσιο η χωρητικότητα. Αυτό επιτευχθεί ‘στοιβάζοντας’ 16 V-NAND flash memory. Η Samsung δεν σταμάτησε εκεί και κατάφερε να αυξήσει και τις ταχύτητες.
Το νέο τσιπάκι θα προσφέρει read speeds έως 1000MB/s και έως 260MB/s write speeds. Ως μέτρο σύγκρισης μπορούμε να δούμε έναν παραδοσιακό 2.5-inch SATA SSD ο οποίος έχει read speeds γύρω στα 540MB/s, κάτι που κάνει το επίτευγμα της Samsung πιο εντυπωσιακό.
Τέλος, σε σύγκριση με το προηγούμενης γενιάς 512GB τσιπάκι υπόσχεται 38% αύξηση ταχυτήτων. Αναμένουμε να δούμε αν θα υιοθετήσει το νέο τσιπάκι στα νέα Galaxy S10 μοντέλα.
0 σχόλια:
Δημοσίευση σχολίου