Samsung: Δημιούργησε 10nm S-RAM αφήνοντας πίσω Intel και TSMC
Ακόμη και αν δεν αρέσουν σε κάποιους οι συσκευές της, είναι γενικά παραδεκτό ότι η Samsung κάνει σημαντικά άλματα στο κομμάτι των mobile SOCs. Οι Exynos επεξεργαστές παίζουν στην πρώτη γραμμή ειδικά φέτος, που αντικατέστησαν την Qualcomm στα Galaxy. H Samsung έκανε μια ακόμη ενδιαφέρουσα ανακοίνωση σήμερα, δημιουργώντας ένα 10 nanometer S-RAM chip.
Αυτό σημαίνει ότι αφήνει πίσω τεράστια ονόματα όπως Intel και TSMC, και σπάει πρώτη το φράγμα των 14nm. Το νέο S-RAM chip έχει 128MB transfer rate και γίνεται η πιο γρήγορη mobile RAM στην αγορά. Η S-RAM συνήθως συνδυάζεται με τον επεξεργαστή και την μνήμη cache, είναι αυτή που διευκολύνει τη μεταφορά δεδομένων στην cache και μεταξύ επεξεργαστή και RAM.
Χρησιμοποιώντας μεγάλης κλίμακας cache μνήμη, η Samsung έχει καταφέρει να μειώσει το μέγεθος της νέας RAM κατά 37%, επιτρέποντάς της να τοποθετείται σε πιο μικρούς χώρους. Δίνεται στους κατασκευαστές που χρησιμοποιούν την S-RAM, μεγαλύτερη ελευθερία όσον αφορά στον σχεδιασμό, αλλά και μεγαλύτερες ταχύτητες μεταφοράς cache για τους επεξεργαστές.
Έτσι ανοίγει ο δρόμος για 10 nanometer τεχνολογία επεξεργαστών, που είναι πιο γρήγορη, μικρή και λιγότερο ενεργοβόρα σε σύγκριση με τα 14nm που βρίσκουμε σήμερα σε επεξεργαστές όπως Snapdragon 820 και Exynos 7420.
H Samsung βρίσκεται ακόμη σε φάση που δοκιμάζει την νέα τεχνολογία και σχεδιάζει να την φέρει στην αγορά τέλη του 2016 με αρχές 2017. Ανταγωνιστές όπως Intel και TSMC προφανώς και δεν θα αφήσουν τη Samsung να παίζει μόνη της.
0 σχόλια:
Δημοσίευση σχολίου