Το αποτέλεσμα είναι η UFS μνήμη της Samsung να εκτελεί 19000 IOPs (input/output operations per second) κατά την τυχαία ανάγνωση, και αυτό σημαίνει 2,7 φορές υψηλότερη ταχύτητα από το πρότυπο μνήμης που χρησιμοποιείται σήμερα στα κινητά, το eMMC 5.0. Επίσης προσφέρει επιπέδου SSD (Solid State Drive) απόδοση στις διαδοχικές αναγνώσεις και εγγραφές σε συνδυασμό με 50% μείωση στην κατανάλωση. Επιπλέον η ταχύτητα τυχαίας ανάγνωσης είναι 12 φορές υψηλότερη μίας τυπικής υψηλής απόδοσης κάρτας μνήμης (που επιδεικνύει περίπου 1500 IOPs) ενώ όσον αφορά στις τυχαίες εγγραφές, η ενσωματωμένη μνήμη UFS της Samsung έχει αξιολογηθεί στις 14000 IOPS. Η νέα ενσωματωμένη μνήμη UFS της Samsung κατασκευάζεται σε εκδόσεις των 128GB, 64GB και 32GB.
0 σχόλια:
Δημοσίευση σχολίου