Η σχετικά άγνωστη ατον τομέα των αποθηκευτικών μέσων start-up Crossbar Inc., παρουσίασε μια νέα μορφή αποθηκευτικής τεχνολογίας που την ονομάζει Resistive RAM (RRAM).
Η RRAM τεχνολογία επιτρέπει την αποθήκευση πληροφορίας σε υψηλή χωρητικότητα και απόδοση σε non-volatile μνήμη και σε ένα chip μικρότερο από ένα γραμματόσημο, μπορεί να τοποθετηθεί πληροφορία 1 TB.
Χάρη στην τεχνολογία κατασκευής 3 στρωμάτων έχει την δυνατότητα να τοποθετηθεί το ένα chip επάνω στο άλλο σε πολλαπλά επίπεδα αποθηκευτικού χώρου και σύμφωνα με όσα ισχυρίζεται η Crossbar η απόδοση του ενιαίου chip είναι 20 φορές ταχύτερη, 20 φορές πιο οικονομικό σε απαιτήσεις ρεύματος και 10 φορές πιο ανθεκτικό σε σχέση με τα καλύτερα τωρινά NAND flash chips.
Η νέα τεχνολογία είναι έτοιμη να μπει σε παραγωγή και η Crossbar έχει ήδη 30 πατέντες σχετικές με την RRAM τεχνολογία τις οποίες σκοπεύει να αδειοδοτήσει σε διάφορους κατασκευαστές.
Πηγή : Techspot
Home / ειδήσεις /
τεχνολογία /
hardware /
news /
phonegr /
tech
/ Η νέα τεχνολογία non-volatile αποθήκευσης Resistive RAM
- Blogger Comment
- Facebook Comment
Εγγραφή σε:
Σχόλια ανάρτησης
(
Atom
)
0 σχόλια:
Δημοσίευση σχολίου