Τα flagship SoCs της Qualcomm φημίζονται για τις εξαιρετικές επιδόσεις που προσφέρουν και βρίσκονται συνεχώς στο προσκήνιο της επικαιρότητας. Η ιστοσελίδα Fudzilla βρίσκεται στην ευχάριστη θέση να επιβεβαιώσει ότι το Snapdragon 845 SoC, που αναμένεται να παρουσιαστεί φέτος, θα έχει κατασκευαστεί βάσει της παραγωγικής διαδικασίας των 10nm FinFET. Πηγές της ιστοσελίδας, αναφέρουν ότι τα εργοστάσια της Samsung βρίσκονται πίσω από την κατασκευή του συγκεκριμένου SoC και πολλοί από εσάς θα γνωρίζετε ήδη ότι είναι αρκετά νωρίς για τα 7nm. Αντιθέτως, αναμένουμε να δούμε τα 7nm chips στο τέλος του επόμενου έτους.
Η Qualcomm παραδοσιακά ανακοινώνει τα νέα flagship chips προς το τέλος του έτους. Το Galaxy S8 ήταν το πρώτο που κατέφθανε με Snapdragon 845 SoC και μάλλον θα δούμε το επερχόμενο Galaxy S9 με το Snapdragon 845 SoC. Η Samsung βέβαια, θα έχει το δικό της Exynos SoC, για το Galaxy S9, τον Exynos 8900. Να μην αμελήσουμε να αναφέρουμε, ότι ο Snapdragon 845 θα έρθει με αναβαθμισμένους Kryo cores καθώς και καλύτερη Adreno GPU, επομένως θα πρέπει να αναμένουμε κάποια αξιοπρεπή βελτίωση σε σχέση με τον Snapdragon 835. Βέβαια, η βιομηχανία δεν σταματά εδώ και προχωρά εντατικά για τη μετάβαση στα 7nm.
0 σχόλια:
Δημοσίευση σχολίου